SIHG22N60E-GE3 datasheet
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>> SIHG22N60E-GE3 MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
SIHG22N60E-GE3
库存数量:
可订货
制造商:
Vishay/Siliconix
描述:
MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS
SIHG22N60E-GE3 PDF下载
制造商
Vishay/Siliconix
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
600 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流
21 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
180 mOhms at 10 V
配置
Single
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
SIHG22N60E-GE3
SIHG22N60S-E3
SIHG22N65E-GE3
SiHG24N65E-E3
SIHG24N65E-GE3
SIHG25N40D-E3
供应商
公司名
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13424293654
唐先生
深圳市毅创辉电子科技有限公司
077-8326952815602945519
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深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129491949(手机优先
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北京元坤伟业科技有限公司
010-62104931
刘先生
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CICI
深圳市芯品会科技有限公司
0755-83265528
朱先生
SIHG22N60E-GE3 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
1
7.176
7.176
10
6.072
60.72
100
4.968
496.8
250
4.416
1104
500
3.974
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